2012年5月8日，推進利（lì）用TSV(矽通孔)的三維層疊型新一代DRAM“Hybrid Memory Cube(HMC)”普及的Hybrid Memory Cube Consortium(HMCC)宣布，軟件行業巨（jù）頭美（měi）國微軟已加盟（méng）該協會。

　　HMC是采用三維構造，在邏輯（jí）芯片上（shàng）沿垂直方向疊加多（duō）個DRAM芯片，然後通過TSV連接布線的技術。HMC的最大特征是與既有的DRAM相比，性能可以得到（dào）極大的提（tí）升。提升的原因有二，一是芯（xīn）片間的布（bù）線距（jù）離能夠從半導體封裝平攤在主板上（shàng）的傳統（tǒng）方法（fǎ）的“cm”單位大幅縮小到數十μm～1mm;二是一枚芯片上能夠形成（chéng）1000～數萬個TSV，實現芯片間的多點連接。

　　微軟之所以加入HMCC，是因為（wéi）正在考慮（lǜ）如（rú）何（hé）對應很可能會成為個人電腦和計算機性能提升的（de）“內存瓶頸”問題。內存瓶頸是指隨著微處理器（qì）的性能通過多核化不（bú）斷提升，現行架構的DRAM的性能將（jiāng）無法滿足處理器的需要。如果不解決（jué）這（zhè）個（gè）問（wèn）題，就會發生即使購買（mǎi）計（jì）算機新產品，實際（jì）性能也得不到相應（yīng）提升的情況。與之相比，如果把基於TSV的HMC應用（yòng）於計算機的主存（cún）儲器，數據傳輸速度就能夠提高到現行DRAM的約15倍，因此，不隻是微軟，微處理器巨頭美國英特（tè）爾等公（gōng）司也在積極研（yán）究采用HMC。

　　其實，計劃采用TSV的並不隻是HMC等DRAM產品。按照半導體廠商的計劃，在今後數年間（jiān），從承擔電子設備輸入功能的CMOS傳感器到負（fù）責運算的FPGA和多核處（chù）理器，以及（jí）掌管產品存儲的DRAM和NAND閃存都將相繼（jì）導入TSV。如果計劃如期進行，TSV將（jiāng）擔負起（qǐ）輸（shū）入、運算、存儲等電（diàn）子設（shè）備的主要功能。